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智慧树知到《电力电子技术(湖北师范大学)》见面课答案
1、采用独立直流电源,不存在电容均压问题,同时具有模块化设计潜力,很容易实现更多电平、更高电压和更大功率输出的是()多电平电路。
A.二极管钳位型
B.飞跨电容型
C.级联H桥型
D.VIENNA
正确答案:级联H桥型
2、单相NPC三电平空间矢量图中不存在下列哪种电压矢量
A.正小矢量
B.负小矢量
C.长矢量
D.中矢量
正确答案:中矢量
3、影响三相NPC三电平变换器中点电压平衡直接因素不包含
A.调制度
B.母线电压
C.功率因数
D.母线电容
正确答案:母线电压
4、补偿中点电压平衡是利用( )中点电流极性相反的特性。
A.正负小矢量
B.中矢量
C.长矢量
D.零矢量
正确答案:正负小矢量
5、下列哪种矢量中点电流不为零
A.长矢量
B.零矢量
C.中矢量
D.负矢量
正确答案:中矢量
1、交-直-交逆变电路中,中间直流环节采用大电容滤波的变流器称为( )变流器。
A.电流型
B.电压型
C.电容型
D.电感型
正确答案:电压型
2、把直流电能变成交流电能的电路称为()变换器。
A.DC/AC
B.AC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC
正确答案:DC/AC
3、SVPWM相比于SPWM,不属于SVPWM特点的是
A.电压利用率高
B.输出电压谐波含量低
C.调制过程简单
D.计算复杂
正确答案:调制过程简单
4、SVPWM调制实现过程中,以下不属于其生成步骤
A.扇区判断
B.有效矢量作用时间计算
C.矢量合成
D.载波调制
正确答案:载波调制
5、下列不属于交流电力电子开关特点的
A.响应速度快
B.无触点
C.损耗低
D.寿命长
正确答案:损耗低
1、对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是
A.IGBT的开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO
B.GTR的开关速度高,驱动电路复杂,存在二次击穿问题
C.GTO的电压、电流容量大,但其关断增益也很大
D.电力MOSFET的开关速度最快,但驱动电路比较复杂
正确答案:IGBT的开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO#GTR的开关速度高,驱动电路复杂,存在二次击穿问题#电力MOSFET的开关速度最快,但驱动电路比较复杂
2、升压斩波电路中,已知电源电压E =30V,负载电压U0=50V,斩波周期T=10μs,则开通时间ton=()
A.1μs
B.2μs
C.3μs
D.4μs
正确答案:4μs
3、升降压式斩波变换电路的占空比K的取值范围为()时,升降压式斩波电路变换表现为降压斩波电路
A.04、由于电力MOSFET靠多子导电,不存在少子储存效应,因此其开关过程非常迅速。
A.正确
B.错误
正确答案:A
5、不属于开关电源电路构成的是
A.整流电路
B.滤波电路
C.PWM驱动电路
D.变频电路
正确答案:变频电路
1、使导通的晶闸管关断只能是
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