题目 / 答案提交正确答案
单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV，等效状态密度N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（）。
A.6.7×108/cm3
B.1.1×109/cm3
C.1.34×109/cm3
D.2.2×109/cm3
正确答案：6.7×108/cm3
关键字 浏览量：次
上一篇：n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能
下一篇：硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV，等效状态密度N=8.8×1018/cm3,计算300K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子
相关问题